Institute for Research in Fundamental Sciences
 
سمینار عمومی
 
 ساخت سامانه های تشخیصی شیمیایی و زیست شناختی با حساسیت های بالا نیازمند ترکیب فناوری نیمه رسانا اکسید فلز (CMOS) با سایر فناوری های موجود به منظور فراهم نمودن قابلیت های نوین است. در این پژوهش، نانوسیم های سیلیکونی معلق مطالعه شده تا به عنوان سرحسگر به کار روند. تغییر سطح با استفاده از تک لایه های خود شکل یافته که گزینشی بودن تشخیص را فراهم می کند، عامل عدم وابستگی هدایت الکتریکی به دما در بازه ی دمایی 10 تا 115 درجه سانتی گراد یافته شد. این امر حسگرهاﯼ مبتنی بر بار را در برابر تغییرات دمایی محافظت می نماید. ساختار ترانزﯾستوری نوﯾنی شامل ﯾک نانوسیم سیلیکونی معلق و دو دریچه ی جانبی با سطح ناخالصی ﯾﻜنواخت و بالا ارائه گردید.ﯾک مدل دو بعدی جهت تشریح ﮐارکرد ترانزیستوری ابزار با در نظر گرفتن میدان های انحرافی عرضه شد. نسبت ضخامت به پهنای سطح مقطع نانوسیم ﻭ ضخامت آﻥ عوامل ﮐلیدﯼ دﺭ تخلیه مجراﯼ ﻫداﺍﯾتی نانوسیم اﺯ حامل های باﺭ یافته شدند. دو خط دﺭ طول نانوسیم دﺭ سطوح بالایی و زیرﻳن آﻥ حساس ترﯾن بخش هاﯼ آﻥ به باﺭ الکتریکی بوﺩه و قابلیت به کاﺭگیری ﺍبزاﺭ دﺭ حسگرهای بسیاﺭ حساس مبتنی بر باﺭ رﺍ نشان می دهند. همچنین حساسیت با اعماﻝ ﻭلتاژهاﯼ متفاوﻭﺕ جداﺍگانه به دریچه های جانبی قابل بهینه سازﯼ است. به منظور بهبود حساسیت و دﺭ جهت تشخیص تک مولکول ها تغییری دﺭ ساختمان ابزار پیشنهاد شد تا آﻥ رﺍ به ﻳک تراﺍنزﯾﻳستورﺭ تک الکترونی سیلیکونی معلق تبدیل ﮐند. ﻳک رهیافت شبیه سازﯼ ترکیبی برای طراحی و بهینه سازی چنین ادواتی ارﺍئه شد. همچنین نشاﻥ داده شد ﮐه تعلیق عامل مؤثری دﺭ کاهش مجموع ظرفیت خازنی جزیره ﻭ ﺍفزﺍﯾﻳش دمای ﮐاری اﺍست.این یافته هاراه را برای تحقق نسل جدیدی از حسگرهای شیمیایی و زیست شناختی فراحساس در چارچوب تجمیع سامانه نانوالکترومکانیکی CMOS-(NEMS) هموار می کند  
 
back to top








footer
 

webmaster | ipmic@ipm.ir   Copyright © 2012, All rights reserved.